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Si硅

硅是具有符號(hào)Si和原子序數(shù)14的化學(xué)元素。四價(jià)準(zhǔn)金屬,硅的反應(yīng)性低于其化學(xué)類比碳。作為宇宙中第八個(gè)最常見的元素,硅偶爾作為純自由元素出現(xiàn),但是作為各種形式的二氧化硅(二氧化硅)或硅酸鹽,分布在灰塵,飛機(jī)和行星中更廣泛。在地球上,硅是地殼中第二最豐富的元素(氧后),[1]占地殼的25.7%。

硅有許多工業(yè)用途。元素硅是大多數(shù)半導(dǎo)體器件的主要部件,最重要的是集成電路或微芯片。硅被廣泛用于半導(dǎo)體,因?yàn)樗诒劝雽?dǎo)體鍺更高的溫度下保持半導(dǎo)體,并且由于其天然氧化物容易在爐中生長(zhǎng)并且形成比任何其它材料更好的半導(dǎo)體/電介質(zhì)界面。

以二氧化硅和硅酸鹽的形式,硅形成有用的玻璃,水泥和陶瓷。它也是有機(jī)硅的組成部分,是由硅,氧,碳和氫制成的各種合成塑料物質(zhì)的類名,通常與硅本身混淆。

硅是生物學(xué)的一個(gè)基本要素,雖然只有微小的痕跡似乎是動(dòng)物需要的。更重要的是植物的代謝,特別是許多禾本科植物,硅酸(一種二氧化硅)形成了微觀硅藻的保護(hù)殼陣列的基礎(chǔ)。

技術(shù)數(shù)據(jù)
符號(hào) Si 密度(20°C)/ gcm 3 2.336(?2.905
原子數(shù) 14 熔點(diǎn)/℃ 1420
天然存在的同位素?cái)?shù)量 3 沸點(diǎn)/℃ -3280
原子重量 28.0855(+/- 3) ΔH FUS / kJmol -1 50.6
電子配置 [Ne] 3s 2 3p 2 ΔH VAP / kJmol -1 383
IV(共價(jià))/ pm 117.6 ΔHf (單原子氣體) / kJmol -1 454
IV(離子,6坐標(biāo))/ pm 40 電離能 / kJmol -1 I 786.3
電阻率(20°C)/μohmcm ?48 電離能 / kJmol -1 II 1576.5
保寧電負(fù)性 1.8 電離能/ kJmol -1 III 3228.3
帶隙E g / kJmol -1 106.8 電離能/ kJmol -1 IV
蒸發(fā)技術(shù)
溫度(? C)@Vap。壓力 技術(shù) 備注
10 -8 10 -6 10 -4 電子束
992 1147 1337 公平 鉭和玻璃狀石墨 - 鎢和鉭 鎢合金; 使用重型鎢舟。SiO 4產(chǎn)生高于4×10 -6乇。EB最佳
硅(Si)
電阻合金
名稱 型號(hào) 元素名稱 電阻值
μΩ/Cm/20°C
導(dǎo)電率
S/W
密度
g/cm3
立承德-卡瑪 NEXTM KAMA NiCr20AlSi 132 0.76 8
電熱合金
型號(hào) 元素名稱 熔點(diǎn)
°C 
溫度公差 溫度范圍
KP Ni,Si,Fe,Cr 1430 ±2.2°C or ±0.75% (t90) 0 to 1260 標(biāo)準(zhǔn)公差
KN Ni,Mn,Al,Si 1400 ±2.2°C or ±0.75% (t90) 0 to 1260
NP Ni,Si,Cr 1394 ±2.2°C or ±0.75% (t90) 0 to 1260
NN Ni,Si 1341 ±2.2°C or ±0.75% (t90) 0 to 1260
EP Ni,Si,Fe,Cr 1430 ±1.7°C or ±0.5% (t90) 0 to 870
JP Fe,Mn,Si,Al,C 1496 ±2.2°C or ±0.75% (t90) 0 to 760
KPX Ni,Si,Fe,Cr 1430 ±2.2°C 0 to 200
KNX Ni,Mn, Al, Si 1400 ±2.2°C 0 to 200
NPX Ni,Si,Cr 1394 ±2.2°C 0 to 200
NNX Ni,Si 1341 ±2.2°C 0 to 200
EPX Ni,Si,Fe,Cr 1430 ±1.7°C 0 to 200
JPX Fe,Mn,Si,Al,C 1496 ±2.2°C 0 to 200
KPCA Fe,Mn,Si,Al,C 1496 ±100μV(±2.5°C) 0 to 150 二級(jí)公差
靶材
材料名稱 元素名稱 原子序數(shù) 導(dǎo)熱性
W/m.K
理論密度
g/cc
Silicon_Si  Si 14 150 2.32
蒸鍍材料
材料名稱 元素名稱 原子序數(shù)  導(dǎo)熱性
W/m.K
理論密度
g/cc
Si硅P-type(片) Si 14 150 2.32


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