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">硅是具有符號(hào)Si和原子序數(shù)14的化學(xué)元素。四價(jià)準(zhǔn)金屬,硅的反應(yīng)性低于其化學(xué)類比碳。作為宇宙中第八個(gè)最常見的元素,硅偶爾作為純自由元素出現(xiàn),但是作為各種形式的二氧化硅(二氧化硅)或硅酸鹽,分布在灰塵,飛機(jī)和行星中更廣泛。在地球上,硅是地殼中第二最豐富的元素(氧后),[1]占地殼的25.7%。
硅有許多工業(yè)用途。元素硅是大多數(shù)半導(dǎo)體器件的主要部件,最重要的是集成電路或微芯片。硅被廣泛用于半導(dǎo)體,因?yàn)樗诒劝雽?dǎo)體鍺更高的溫度下保持半導(dǎo)體,并且由于其天然氧化物容易在爐中生長(zhǎng)并且形成比任何其它材料更好的半導(dǎo)體/電介質(zhì)界面。
以二氧化硅和硅酸鹽的形式,硅形成有用的玻璃,水泥和陶瓷。它也是有機(jī)硅的組成部分,是由硅,氧,碳和氫制成的各種合成塑料物質(zhì)的類名,通常與硅本身混淆。
硅是生物學(xué)的一個(gè)基本要素,雖然只有微小的痕跡似乎是動(dòng)物需要的。更重要的是植物的代謝,特別是許多禾本科植物,硅酸(一種二氧化硅)形成了微觀硅藻的保護(hù)殼陣列的基礎(chǔ)。
符號(hào) | Si | 密度(20°C)/ gcm 3 | 2.336(?2.905 |
原子數(shù) | 14 | 熔點(diǎn)/℃ | 1420 |
天然存在的同位素?cái)?shù)量 | 3 | 沸點(diǎn)/℃ | -3280 |
原子重量 | 28.0855(+/- 3) | ΔH FUS / kJmol -1 | 50.6 |
電子配置 | [Ne] 3s 2 3p 2 | ΔH VAP / kJmol -1 | 383 |
r IV(共價(jià))/ pm | 117.6 | ΔHf (單原子氣體) / kJmol -1 | 454 |
r IV(離子,6坐標(biāo))/ pm | 40 | 電離能) / kJmol -1 I | 786.3 |
電阻率(20°C)/μohmcm | ?48 | 電離能) / kJmol -1 II | 1576.5 |
保寧電負(fù)性 | 1.8 | 電離能/ kJmol -1 III | 3228.3 |
帶隙E g / kJmol -1 | 106.8 | 電離能/ kJmol -1 IV |
溫度(? C)@Vap。壓力 | 技術(shù) | 備注 | |||||
10 -8乇 | 10 -6乇 | 10 -4乇 | 電子束 | 坩 | 盤 | 船 | |
992 | 1147 | 1337 | 公平 | 鉭和玻璃狀石墨 | - | 鎢和鉭 | 鎢合金; 使用重型鎢舟。SiO 4產(chǎn)生高于4×10 -6乇。EB最佳 |
硅(Si) | |||||
電阻合金 | |||||
名稱 | 型號(hào) | 元素名稱 |
電阻值 μΩ/Cm/20°C |
導(dǎo)電率 S/W |
密度 g/cm3 |
立承德-卡瑪 | NEXTM KAMA | NiCr20AlSi | 132 | 0.76 | 8 |
電熱合金 | |||||
型號(hào) | 元素名稱 |
熔點(diǎn) °C |
溫度公差 | 溫度范圍 | |
KP | Ni,Si,Fe,Cr | 1430 | ±2.2°C or ±0.75% (t90) | 0 to 1260 | 標(biāo)準(zhǔn)公差 |
KN | Ni,Mn,Al,Si | 1400 | ±2.2°C or ±0.75% (t90) | 0 to 1260 | |
NP | Ni,Si,Cr | 1394 | ±2.2°C or ±0.75% (t90) | 0 to 1260 | |
NN | Ni,Si | 1341 | ±2.2°C or ±0.75% (t90) | 0 to 1260 | |
EP | Ni,Si,Fe,Cr | 1430 | ±1.7°C or ±0.5% (t90) | 0 to 870 | |
JP | Fe,Mn,Si,Al,C | 1496 | ±2.2°C or ±0.75% (t90) | 0 to 760 | |
KPX | Ni,Si,Fe,Cr | 1430 | ±2.2°C | 0 to 200 | |
KNX | Ni,Mn, Al, Si | 1400 | ±2.2°C | 0 to 200 | |
NPX | Ni,Si,Cr | 1394 | ±2.2°C | 0 to 200 | |
NNX | Ni,Si | 1341 | ±2.2°C | 0 to 200 | |
EPX | Ni,Si,Fe,Cr | 1430 | ±1.7°C | 0 to 200 | |
JPX | Fe,Mn,Si,Al,C | 1496 | ±2.2°C | 0 to 200 | |
KPCA | Fe,Mn,Si,Al,C | 1496 | ±100μV(±2.5°C) | 0 to 150 | 二級(jí)公差 |
靶材 | |||||
材料名稱 | 元素名稱 | 原子序數(shù) |
導(dǎo)熱性 W/m.K |
理論密度 g/cc |
|
Silicon_Si | Si | 14 | 150 | 2.32 | |
蒸鍍材料 | |||||
材料名稱 | 元素名稱 | 原子序數(shù) |
導(dǎo)熱性 W/m.K |
理論密度 g/cc |
|
Si硅P-type(片) | Si | 14 | 150 | 2.32 |
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