碳化硅(SiC)，這種寬能隙的半導體組件可用于打造更優(yōu)質的晶體管，取代當今的硅功率晶體管，并與二極管共同搭配，提供最低溫度、最高頻率的功率組件。 SiC晶體管所產生的熱也比硅功率晶體管更低30%，然而，它的成本至今仍然比硅更高5倍。

為了降低SiC的制造成本，美國北卡羅萊納州立大學的研究人員設計了一種PRESiCE工藝，并搭配TI X-Fab實現(xiàn)低成本的SiC功率MOSFET,日前于美國華府舉行的2017年碳化硅及相關材料國際會議(International Conference on Silicon Carbide and Related Materials；ICSCRM 2017)發(fā)表技術細節(jié)。

為了尋找低成本授權的工藝以降低這些障礙，Baliga及其研究團隊設計了一種“制造SiC電子組件之工程工藝”(Process Engineered for Manufacturing SiC Electronic-devices；PRESiCE)，并采用德州儀器(Texas Instruments ；TI)的X-Fab來實現(xiàn)。

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根據Baliga，PRESTICE并不只是一種開發(fā)SiC工藝的低成本替代方法，它也比傳統(tǒng)的專有工藝更有效率。降低授權成本將有助于讓更多的業(yè)者加入市場競爭，從而提高SiC的產量。反過來說，這也不可避免地會降低SiC的價格，或許還會降低到只比硅的價格多50%。

SiC功率組件除了可作業(yè)于較低的溫度下，也可以在更高的頻率下切換，從而讓功率電子產品得以使用較小的電容、電感和其他被動組件，最終使得設計人員能在更小的空間中封裝更多組件，而仍使其保持輕量纖薄。 Baliga說，PRESiCE工藝能實現(xiàn)較高產量，并嚴格控制產出SiC組件的特性。

編譯：Susan Hong

文章來自《EET電子工程專輯》