稀貴金屬薄膜是電子信息產(chǎn)業(yè)起核心支撐作用的戰(zhàn)略性材料。濺射靶材是制備薄膜的關(guān)鍵源材料，主要應(yīng)用于電子及信息產(chǎn)業(yè)，如集成電路、信息存儲(chǔ)、液晶顯示屏、激光存儲(chǔ)器、電子控制器件等；亦可應(yīng)用于玻璃鍍膜領(lǐng)域；還可以應(yīng)用于耐磨材料、高溫耐蝕、高檔裝飾用品等行業(yè)。

目前，在高端稀貴金屬靶材的制備主要集中在日本、美國(guó)、德國(guó)等國(guó)家。國(guó)內(nèi)與國(guó)際差距集中在濺射靶材上游材料主要在超高純?cè)牧戏矫媾c服務(wù)于集成電路先進(jìn)制程的新產(chǎn)品兩大領(lǐng)域。針對(duì)這一現(xiàn)狀采用熔煉及塑性加工法制備了鎳鉑、鈷鉻鉑硼等靶材，采用粉末冶金法制備了釕及鈷鉻鉑二氧化硅靶。開(kāi)發(fā)了鎳鉑靶微組織擇優(yōu)取向控制技術(shù)、高純釕靶批量制備技術(shù)、脆性靶材的成分控制及缺陷控制技術(shù)、含氧化物靶材的相界面結(jié)合控制技術(shù)。

稀貴金屬濺射靶材的關(guān)鍵制備技術(shù)及工程化應(yīng)用研究，成功制備鎳鉑（NiPt）、鈷鉻鉑硼（CoCrPtB）等靶材和釕（Ru）、鈷鉻鉑二氧化硅（CoCrPt-SiO2）靶。未來(lái)5年，世界濺射靶材的市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)160億美元。此次我國(guó)稀貴金屬濺射靶材制備問(wèn)世，國(guó)內(nèi)濺射靶材企業(yè)的成長(zhǎng)空間被打開(kāi)。

中國(guó)市場(chǎng)上的靶材產(chǎn)品的主要性能指標(biāo)靶材度 99.995wt%、靶材主成分偏差0.5wt%以內(nèi)、靶材密度 98.5%、靶材與背板焊合率 98.5%。其中，今年7月鎳鉑靶材研發(fā)為中過(guò)市場(chǎng)打破國(guó)外對(duì)濺射靶材長(zhǎng)期壟斷。

此外鍍膜靶材是通過(guò)磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統(tǒng)在適當(dāng)工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長(zhǎng)的激光與不同的靶材相互作用時(shí)，會(huì)產(chǎn)生不同的殺傷破壞效應(yīng)。蒸發(fā)磁控濺射鍍膜是加熱蒸發(fā)鍍膜、鋁膜等。更換不同的靶材，即可得到不同的膜系超硬、耐磨、防腐的合金膜等濺射靶材。